Сид-чипы

Сид-Чипы - это модули со случайными параметрами и случайными характеристиками, улучшающие оружие и стреляющие способности корабля.

Первые Сид-Чипы появились после того, как был открыт доступ к системе Артуга. Пираты Анклава распространяют свою продукцию среди наемников, используя контрабандные пути доставки.

Исследования в лабораториях ЕЦН показали, что Сид-Чипы особым образом меняют ключевые характеристики модулей кораблей. Каждый Сид-Чип уникален и по-своему влияет на изменения. Особая технология слияния Сид-Чипов дает возможность пилотам самостоятельно получать Сид-Чипы с новыми более высокими показателями.

Источники и технологии производства Сид-Чипов до сих пор не ясны, поэтому их использование разрешено только в боях против ИИ, в PvE миссиях и Открытом космосе. Пилоты будут устанавливать пиратские технологии под свою ответственность!

Подробный гайд по сид-чипам урона можно прочитать здесь: Сид чипы Star Conflict. Сид чипы урона.

Подробный гайд по сид-чипам защиты можно прочитать здесь: Сид чипы Star Conflict. Сид чипы защиты - модификаторы щитов.

Особенности:

• Сид-Чипы можно найти в Открытом космосе после уничтожения различных противников, Пиратских Эсминцев и Разрушителей Чужих, а также в поиске ценностей после боя.
• Сид-чипы можно улучшать с помощью ресурсов или других чипов, получая Чипы сильнее.
• На корабль можно установить до пяти Сид-Чипов.
• Для снятия сид-чипа необходимо заплатить или (в зависимости от редкости чипа), иначе при демонтаже он будет разрушен.
• Сид-Чипы могут давать как положительный эффект, так и отрицательный сразу.
• Сид-Чипы имеют несколько классов — «Сбалансированные», «Обычные», «Исключительные», «Специальные».
• Склад для Сид-чипов можно расширять до 150 мест за кредиты. Склад для Сид-чипов работает так же как и обычный склад для модулей, т.е. на складе показываются и неустановленные и установленные (указано на каком корабле установлено) чипы (чтобы при снятии чипа с корабля для него всегда было место на складе).

Список возможных эффектов у «обычных» Сид-Чипов:

Чипы урона:

• Увеличивает повреждения.
• Увеличивает повреждения термических орудий.
• Увеличивает повреждения ЭМ орудий.
• Увеличивает повреждения кинетических орудий.
• Увеличивает повреждения ракет и мин.
• Увеличивает повреждения кораблям пришельцев.
• Увеличивает шанс критических повреждений.
• Увеличивает мощность критических повреждений.
• Уменьшает разброс основного вооружения.
• Увеличивает скорострельность основного вооружения.
• Уменьшает нагрев основного вооружения.
• Увеличивает скорость охлаждения основного вооружения.
• Увеличивает дальность стрельбы основного вооружения.
• Увеличивает скорость полёта снарядов основного вооружения.
• Уменьшает скорость перезарядки модулей корабля.
• Уменьшает скорость перезарядки ракет.
• Увеличивает повреждения кораблям Эллидиума.
• Увеличивает повреждения эсминцам.

Чипы защиты:

• Сопротивление щита ЭМ урону увеличено на A ед.
• Сопротивление щита кинетическому урону увеличено на C ед.
• Сопротивление щита термическому урону увеличено на D ед.
• Сопротивление щита всему урону увеличено на X ед.
• Увеличивает максимальный запас щита на F%.
• Увеличивает скорость регенерации щита на B%.

Список возможных эффектов у «сбалансированных» Сид-Чипов:

Чипы урона:

• Увеличивает повреждения, уменьшая скорострельность.
• Увеличивает скорострельность, уменьшая повреждения.
• Увеличивает общие повреждения, уменьшая повреждения по инопланетным кораблям.
• Увеличивает повреждения по инопланетным кораблям, уменьшая общие повреждения.
• Увеличивает шанс критических повреждений уменьшая мощность критических повреждений.
• Увеличивает мощность критических повреждений, уменьшая шанс критических повреждений.
• Увеличивает повреждения, уменьшая мощность критических повреждений.
• Увеличивает мощность критических повреждений, уменьшая повреждения.
• Увеличивает скорострельность, уменьшая шанс критических повреждений.
• Увеличивает шанс критических повреждений, уменьшая скорострельность.
• Увеличивает повреждения, увеличивая разброс основного вооружения.
• Уменьшает разброс основного вооружения, уменьшая повреждения.
• Увеличивает повреждения, уменьшая дальность стрельбы основного вооружения.
• Увеличивает дальность стрельбы основного вооружения, уменьшая повреждения.
• Увеличивает скорость полёта снарядов основного вооружения, уменьшая повреждения.
• Увеличивает повреждения, увеличивая нагрев основного вооружения.
• Уменьшает нагрев основного вооружения, уменьшая повреждения.
• Уменьшает нагрев основного вооружения, уменьшая скорость его охлаждения.
• Увеличивает скорость охлаждения основного вооружения, увеличивая его нагрев.
• Увеличивает повреждения, уменьшая повреждения по кораблям Эллидиума.
• Увеличивает повреждения по кораблям Эллидиума, уменьшая повреждения.
• Увеличивает повреждения, уменьшая повреждения по эсминцам.
• Увеличивает повреждения по эсминцам, уменьшая повреждения.
• Увеличивает повреждения, уменьшая шанс критических повреждений.
• Увеличивает шанс критических повреждений, уменьшая повреждения.

Чипы защиты:

• Увеличивает сопротивление щита кинетическому урону на C ед., уменьшая сопротивление ЭМ урону на A ед.
• Увеличивает сопротивление щита кинетическому урону на C ед., уменьшая сопротивление термическому урону на D ед.
• Увеличивает сопротивление щита всему урону на X ед., уменьшая максимальный запас щита на F%.
• Увеличивает сопротивление щита всему урону на X ед., уменьшая скорость регенерации щита на B%.
• Увеличивает максимальный запас щита на F%, уменьшая сопротивление щита всему урону на X ед.
• Увеличивает максимальный запас щита на F%, уменьшая скорость регенерации щита на B%.
• Увеличивает максимальный запас щита на F%, уменьшая максимальный запас корпуса на E%.
• Увеличивает скорость регенерации щита на B%, уменьшая сопротивление щита всему урону на X ед.
• Увеличивает скорость регенерации щита на B%, уменьшая максимальный запас щита на F%.
• Увеличивает сопротивление щита термическому урону на D ед., уменьшая сопротивление ЭМ урону на A ед.
• Увеличивает сопротивление щита термическому урону на D ед., уменьшая сопротивление кинетическому урону на C ед.

Список возможных эффектов у «специальных» и «исключительных» Сид-Чипов:

Чипы урона:

• При угрозе уничтожения корабля заражает те корабли противника, которые пометили вас, как цель. Противники будут получать повреждения в размере полученных вашим кораблём, дополнительно нанося урон ещё несколько секунд. Имеет КД.
• Снаряды отталкивают корабль противника. Попадание перекачивает энергию корабля противника в ваш корабль. Имеет КД на одного противника.
• Попадание восстанавливает щит вашего корабля в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз. Имеет КД на одну цель.
• Попадание восстанавливает корпус вашего корабля в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз. Имеет КД на одну цель.
• Критическое попадание уменьшает общее сопротивление щита противника урону корабля в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз.
• Критическое попадание уменьшает общее сопротивление корпуса противника урону корабля в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз.
• Попадание уменьшает повреждение орудий противника в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз. Имеет КД на одну цель.
• Критическое попадание с некоторым шансом снимает с вашего корабля все отрицательные воздействия. Попадание уменьшает скорость противника в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз. Имеет КД на одну цель.
• Критическое попадание с некоторым шансом снимает замедляет время для противников в определённом радиусе в течении некоторого времени.
• Критическое попадание с шансом с некоторым шансом создаёт гравитационную аномалию, притягивающую корабли. Аномалия взрывается через некоторое время, нанося урон.
• Корабли противника в некотором радиусе оставляют после взрыва облако раскалённых частиц, наносящее урон в секунду в течение некоторого времени.
• Критическое попадание повреждает орудия противников, в течение некоторого времени. Поражённый противник получает при выстреле урон, эффект складывается несколько раз.
• Критическое попадание с некоторым шансом останавливает вращение орудий противников на некоторое время.
• Уничтожение корабля противника с некоторым шансом активирует автоматическое наведение орудий на цель на несколько секунд.
• При взрыве корабля противника в некотором радиусе ваш корабль ускоряется в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз.
• Уничтожение корабля противника с некоторым шансом повышает скорострельность орудий вашего корабля течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз.
• Уничтожение корабля противника с некоторым шансом снижает разброс орудий вашего корабля в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз.
• При взрыве корабля противника в некотором радиусе появляется бонус, восстанавливающий корпус и щит в течении некоторого времени. Бонус притягивается кораблём.
• При взрыве корабля противника в некотором радиусе появляется бонус, увеличивающий урон в течении некоторого времени. Эффект складывается несколько раз. Бонус притягивается кораблём.
• Критическое попадание с некоторым шансом подрывает единицу боезапаса цели в ракетном отсеке. Затем принудительно запускается его перезарядка. Не срабатывает, если ракетный отсек цели перезаряжается.
• При угрозе уничтожения корабля активирует восстановление корпуса в зависимости размера нанесённого ЭМ урона в течении некоторого времени. Имеет КД.
• При угрозе уничтожения корабля активирует восстановление корпуса в зависимости размера нанесённого кинетического урона в течении некоторого времени. Имеет КД.
• При угрозе уничтожения корабля активирует восстановление корпуса в зависимости размера нанесённого термического урона в течении некоторого времени. Имеет КД.
• Уничтожение корабля противника увеличивает наносимые таранные повреждения в течении некоторого времени.
• Попадание поджигает корабль противника. Огонь наносит урон в течении нескольких секунд.
• Попадание дестабилизирует энергосистему корабля противника. Противник получает ЭМ повреждения в течении некоторого времени.
• Создаёт взрывы в точке попадания в противника, нанося дополнительно термический урон. Имеет КД на одну цель.
• Корабли противника с некоторым шансом оставляют после взрыва бонус, восстанавливающий корпус некоторое время.
• Корабли противника с некоторым шансом оставляют после взрыва бонус, увеличивающий скорость корабля некоторое время.
• Корабли противника с некоторым шансом оставляют после взрыва бонус, увеличивающий урон корабля некоторое время.
• Перенастраивает линзы лазеров, лазеры начинают наносить ЭМ урон. Снижает урон.
• Сбрасывает настройки линз лазеров, лазеры наносят термический урон. Снижает урон.
• Настраивает линзы лазеров в режим оптической ловушки большой мощности, лазеры начинают наносить кинетический урон. Снижает урон.
• Заряжает корабль противника сильным статическим зарядом на несколько секунд. Заряженные корабли притягиваются друг к другу в некотором радиусе. Имеет КД на одну цель.
• Основные орудия корабля дополнительно стреляют ракетами с непредсказуемой траекторией.
• Основные орудия корабля при прекращении огня выстреливают дополнительный снаряд, урон которого накапливается от времени.
• Основные орудия корабля при прекращении огня выстреливают дополнительный снаряд, урон которого накапливается от времени.
• Основные орудия корабля дополнительно оснащаются системой кластерных ракет «Стена огня».
• Основные орудия корабля дополнительно испускают статические разряды по кораблям противников. При попадании последовательно повреждаются ещё некоторое количество кораблей противника с ограниченным расстоянием между ними. Выстрел потребляет энергию.
• Основные орудия корабля дополнительно испускают статические разряды по кораблям противников рядом с точкой прицеливания. Потребляет энергию за каждую следующую цепь.
• Основные орудия корабля дополнительно стреляют капсулами с нанодронами. При попадании последовательно повреждаются ещё несколько кораблей противника с ограниченным расстоянием между ними.

Чипы защиты:

• Вводит щит в нестабильное состояние. Каждые T ед. полученного щитом урона с вероятностью V% вызовут взрыв щита, наносящий на расстоянии H м. ЭМ урон, пропорциональный размеру щита.
• При уничтожении щита создаёт резервный непробиваемый щит. Щит поглощает весь урон, но расходует 1 единицу энергии на каждые P единиц повреждений. Эффект длится в течение G с. Срабатывает не чаще, чем раз в M с.
• Уничтожение щита генерирует ударную волну, наносящуюю до S ед. урона кораблям противника. Срабатывает не чаще, чем раз в M с.
• При уровне щита менее J% сопротивление щита возрастает на K ед. в течение L с.
• При уровне щита свыше J% сопротивление щита возрастает на K ед. в течение L с.
• Уничтожение щита запускает ЭМИ волну, на G с. парализующую деятельность всех врагов на расстоянии H м. Срабатывает не чаще, чем раз в M с.
• Щит полностью защищает корабль от столкновений при уровне щита свыше J%.
• Уничтожение щита делает корабль прозрачным для снарядов и лазеров на G с. Срабатывает не чаще, чем раз в M с.
• При уничтожении щита создаёт резервный щит с N ед. прочности, увеличивает урон на P%, но снижает скорость корабля на W%. Эффект длится в течение G с. Срабатывает не чаще, чем раз в M с.
• При уровне щита менее J% перекачивает P ед./с. щита с кораблей противников в радиусе R м.
• Каждые T ед. полученного щитом урона вызывают пульсар, наносящий T ед./с. урона на расстоянии R м. в течение G с.
• Уничтожение щита запускает аварийный телепорт, меняющий корабль местами с целью. Срабатывает не чаще, чем раз в M с.
• При скорости корабля более Q% генерирует перед кораблём неуязвимый щит, способный расталкивать врагов. Общее сопротивление щитов урону при этом снижается на P ед.